Roughness generation during Si etching in Cl 2 pulsed plasma - Université Grenoble Alpes Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science & Technology A Année : 2016

Roughness generation during Si etching in Cl 2 pulsed plasma

Domaines

Physique [physics]

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.univ-grenoble-alpes.fr/hal-01881982

Soumis le : mercredi 26 septembre 2018-14:48:16

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:26:15

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01881982 , version 1 (26-09-2018)

Identifiants

Citer

Odile Mourey, Camille Petit-Etienne, Gilles Cunge, Maxime Darnon, Emilie Despiau-Pujo, et al.. Roughness generation during Si etching in Cl 2 pulsed plasma. Journal of Vacuum Science & Technology A, 2016, 34 (4), ⟨10.1116/1.4951694⟩. ⟨hal-01881982⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS LTM PLASMA_ETCHING
44 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More