Low resistance contacts on heavily doped GaAs and In53Ga47As grown on 300mm Si(100) substrates by MOCVD
R. Alcotte
(1)
,
M. Martin
(1)
,
J. Moeyaert
(1)
,
R. Cipro
(1)
,
S. David
(1)
,
F. Bassani
(1)
,
F. Ducroquet
(2)
,
Y. Bogumilowicz
(3)
,
Z. Ye
(4)
,
E. Sanchez
(4)
,
X y Bao
(4)
,
Jean-Philippe Pin
(4)
,
Thierry Baron
(1)
1
LTM -
Laboratoire des technologies de la microélectronique
2 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 Applied Materials, Santa Clara
2 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 Applied Materials, Santa Clara
S. David
- Fonction : Auteur
- PersonId : 742757
- IdHAL : sylvain-david-in2p3
F. Bassani
- Fonction : Auteur
- PersonId : 1188804
- IdHAL : franck-bassani
F. Ducroquet
- Fonction : Auteur
- PersonId : 171005
- IdHAL : frederique-ducroquet
- ORCID : 0000-0001-8770-9650
- IdRef : 081930062
Jean-Philippe Pin
- Fonction : Auteur
- PersonId : 742096
- IdHAL : jean-philippe-pin
- ORCID : 0000-0002-1423-345X
- IdRef : 033123152
Thierry Baron
- Fonction : Auteur
- PersonId : 739925
- IdHAL : thierry-baron
- ORCID : 0000-0001-5005-6596
- IdRef : 130661813