Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science and Technology Année : 2010

Residue growth on metallic-hard mask after dielectric etching in fluorocarbon-based plasmas. I. Mechanisms

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https://hal.science/hal-00647504

Soumis le : vendredi 2 décembre 2011-11:03:56

Dernière modification le : samedi 27 septembre 2025-19:00:07

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00647504 , version 1 (02-12-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00647504 , version 1

Citer

N. Posseme, T. Chevolleau, R. Bouyssou, T. David, V. Arnal, et al.. Residue growth on metallic-hard mask after dielectric etching in fluorocarbon-based plasmas. I. Mechanisms. Journal of Vacuum Science and Technology, 2010, pp.B 28, 809. ⟨hal-00647504⟩

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