New Experimental Insight into Ballisticity of Transport in Strained Bulk MOSFETs

D. Fleury; G. Bidal; A. Cros; F. Boeuf; T. Skotnicki; G. Ghibaudo

Communication Dans Un Congrès Année : 2009

New Experimental Insight into Ballisticity of Transport in Strained Bulk MOSFETs

(1) , , (2) , , , (3)

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D. Fleury

Fonction : Auteur

INRETS/MA - Département Mécanismes d'Accidents

G. Bidal

Fonction : Auteur

A. Cros

Fonction : Auteur

IDES - Interactions et dynamique des environnements de surface

F. Boeuf

Fonction : Auteur
PersonId : 782803
ORCID : 0000-0002-1710-5170

T. Skotnicki

Fonction : Auteur

G. Ghibaudo

Fonction : Auteur
PersonId : 170596
IdHAL : gerard-ghibaudo
ORCID : 0000-0001-9901-0679
IdRef : 069253099

IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation

CV

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00604249

Soumis le : mardi 28 juin 2011-15:13:37

Dernière modification le : vendredi 12 décembre 2025-16:30:35

Dates et versions

hal-00604249 , version 1 (28-06-2011)

Identifiants

HAL Id : hal-00604249 , version 1

Citer

D. Fleury, G. Bidal, A. Cros, F. Boeuf, T. Skotnicki, et al.. New Experimental Insight into Ballisticity of Transport in Strained Bulk MOSFETs. IEEE Symposium on VLSI Technology (VLSI Symposium),, Jun 2009, kyoto, Japan. ⟨hal-00604249⟩

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