Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Mechanisms of residue formation on TiN hard mask after fluorocarbon plasma patterning of porous SiOCH films

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https://hal.science/hal-00399970

Soumis le : lundi 29 juin 2009-14:48:19

Dernière modification le : samedi 27 septembre 2025-18:48:21

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00399970 , version 1 (29-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00399970 , version 1

Citer

N. Posseme, T. Chevolleau, R. Bouyssou, T. David, V. Arnal, et al.. Mechanisms of residue formation on TiN hard mask after fluorocarbon plasma patterning of porous SiOCH films. 55th International AVS Symposium & Topical Conferences, 2008, Boston, United States. ⟨hal-00399970⟩

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