Communication Dans Un Congrès Année : 2009

In situ post etch treatment as solution to improve defect density for porous Low-k integration using metallic hard mask

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https://hal.science/hal-00399803

Soumis le : lundi 29 juin 2009-10:51:10

Dernière modification le : samedi 27 septembre 2025-20:03:22

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00399803 , version 1 (29-06-2009)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00399803 , version 1

Citer

N. Posseme, R. Bouyssou, T. Chevolleau, T. David, V. Arnal, et al.. In situ post etch treatment as solution to improve defect density for porous Low-k integration using metallic hard mask. IITC, Interconnect Technology Conference,, 2009, saporo, Japan. ⟨hal-00399803⟩

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